变频器 EVF9383-EVV210控制特性

变频器 EVF9383-EVV210控制特性
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来认识一下变频器中的晶体管

变频器是现代工业中广泛使用的设备，用于调节电机的速度和转矩。变频器的核心组件之一是晶体管，它们在控制电机的性能方面起着至关重要的作用。

晶体管开关频率高的一个优点是可以灵活地调节变频器的输出电压。晶体管开关频率高时，控制电路 只需控制逆变器晶体管的通与断，就能产生正弦的电机电流。因为高频将导致电机发热和高的尖峰电压，所以逆变器的开关频率需衡权考虑。开关频率 越高，损耗就越大。

变频器 EVF9383-EVV210控制特性

晶体管类型

变频器中常用的高频晶体管主要有三种类型：

双极型晶体管（BJT）

单极型晶体管（MOS-FET）

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

双极型晶体管（BJT）

双极型晶体管（BJT）具有高电流密度和低导通电阻的特点，但其开关速度较慢，控制复杂，且功耗较高。

变频器 EVF9383-EVV210控制特性

单极型晶体管（MOS-FET）

MOS-FET晶体管具有高开关速度和低驱动功率的优点，适用于高频应用。然而，其导通电阻较高，导致在高电流应用中损耗较大。

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

IGBT晶体管结合了BJT和MOS-FET的优点，具有高输入阻抗和低导通电阻，适用于高功率和高频应用。IGBT晶体管在现代变频器中得到了广泛的应用。

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晶体管的应用

IGBT晶体管在变频器中的应用为广泛，因为它们结合了MOS-FET的控制特性和BJT的输出特性，具有适当的功率范围、导电性和开关频率，非常适合现代变频器的控制。将IGBT晶体管、逆变器元件及其控制部分集成在一个模块上，这种模块称为智能功率模块（IPM）。

结型场效应管的内部结构如下图所示。由图可以看出，当栅源电压（VGS）为0V时，场效应管的导电沟道宽，沟道电阻小，漏极与源极是导通的，其电阻值为直流导通电阻Ron （约几KΩ），而栅极与其它极之间呈现单向导电性。因此使用万用表可以很方便的将栅极与其它两个极区分。源极和漏极不必再区分，因为结型场效应管允许源极和漏极互换使用

     型号

MSK040C-0450-NN-M1-UG0-NNNN

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MHD041B-144-NP0-UN

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MHD071B-061-PG0-UN

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MHD112B-024-NG1-BN

MHD112B-024-NP1-BN

MHD112B-024-PG0-BN

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MAF100M-0220-FQ-M2-BH-05-N1-S040

MAD100D-0200-SA-S2-BH0-05N1

MAF160C-0200-FQ-S2-EH0-05-N1

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