碳化硅抛光片清洗剂 碳化硅晶片清洗剂 碳化硅衬底清洗剂 半导体硅片清洗剂
产品概述:
碳化硅抛光片清洗剂SC181是我司专为碳化硅晶片超精密加工研发的水基清洗剂,可以清除碳化硅晶片表面的微尘、细微颗粒物、有机物、金属离子、金属氧化物、残留抛光液等污染物。
利用化学剥离的原理有效将键入在硅片表面的各种污染物去除,清洗剂中的活性物质可以吸附在硅片表面,使其长期处于易清洗的物理吸附状态(>120h),而不像难清洗的化学吸附状态转化,并在表面形成保护层,防止颗粒的二次吸附,实现了把有害吸附转化为无害吸附,有效提高外延或扩散工序的成品率。主要应用于各种硅片切割与研磨抛光后的清洗。
应用领域:
碳化硅清洗剂SC181用于半导体芯片、硅片、元器件、薄膜技术中的玻璃和金属表面浸渍、喷淋、超声波的清洗。
产品特点:
1.能快速清洗产品表面的硅粉、细小颗粒物,清除金属离子、氧化物、抛光液残留;
2.清洗后产品良率可达99.8%;
3.对工件表面无腐蚀,无残留,不变色,无斑白点,洁净度高;
4.不影响导电性能,不损伤电路及芯片镀膜层;
5.渗透、去污力强,适合于形状复杂电子零部件及深孔部件;
6.污垢残留物经清洗、剥离后沉底,增强了循环使用的寿命;
7.无毒,无闪点,不燃不爆,使用;
8.水基环保,可做到零排放、可生物降解,符合 ROHS 指令。
物性参数:
碳化硅清洗剂SC181 | |
外观 | 无色至微黄色液体 |
比重 | 1.02±0.02 |
水溶性 | 易溶解 |
PH | 6.0-7.0 |
性 | 不可燃、无腐蚀 |
操作工艺:
清洗残留颗粒物:碳化硅清洗剂SC181原液1:5-10兑水稀释使用,需加温40-60℃,超声波清洗5-10分钟;
清洗残留研磨液:超声波清洗设备超声振动,根据脏污情况原液使用,或兑水稀释5-10倍使用;
适用于多晶硅、单晶硅、硅片及相关的硅片及延伸产品浸渍、喷淋清洗处理。超声波效果更佳。
注意事项:
清洗后的碳化硅晶片应储存在防尘的容器中,避免再次受到污染。
产品包装、贮存和运输:
塑料桶包装: 25KG/桶,非危险品易于储存和运输;
贮存期两年,不能露天存放,防止日晒雨淋;
未使用完的清洗剂须将桶盖拧紧,避免水分及杂质混入。