气相法二氧化硅

气相二氧化硅，化学气相沉积（CVD）法，又称热解法、干法或燃烧法。其原料一般为silvhuagui、氧气（或空气）和氢气，高温下反应而成。反应式为：SiCl4+ 2H2+ O2—>SiO2+4HCl。空气和氢气分别经过加压、分离、冷却脱水、硅胶干燥、除尘过滤后送入合成水解炉。将silvhuagui原料送至精馏塔精馏后，在蒸发器中加热蒸发，并以干燥、过滤后的空气为载体，送至合成水解炉。silvhuagui在高温下气化（火焰温度1000~1800℃）后，与量的氢和氧（或空气）在1800℃左右的高温下进行气相水解；此时生成的气相二氧化硅颗粒极细，与气体形成气溶胶，不易捕集，故使其先在聚集器中聚集成较大颗粒，然后经旋风分离器收集，再送入脱酸炉，用含氮空气吹洗气相二氧化硅至PH值为4～6即为成品。主要用于铝材表面图层的防火防腐效果。