考夫曼离子源溅射沉积Ti-B-C薄膜

在常见的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 几种元素可以形成多种共价键材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 这些物质具有优异的物理和化学特性, 一直是材料学研究的热点.  研究发现, 对成分和结构的调控可实现薄膜材料的性能转变, 进而获得能满足不同性能需求的薄膜.

在 对 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大学科研课题租采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉积条件及热处理条件对其组织结构和力学性能的影响.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保.

该实验项目采用 Ti/ B4C 复合靶作为靶材, 通过磁控溅射方法沉积了成分、结构可调的 Ti-B-C薄膜. 在沉积试验之前, 背底气压低于510-3Pa, 再采用 Ar 离子溅射清洗30min, 工作气压为0.5Pa.

利用 X 射线光电子能谱 (XPS) 和 X 射线衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和结构, 利用纳米压痕法测量了 Ti-B-C 薄膜的力学性能.

KRI 离子源的功能实现了的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口品牌的指定代理商.

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