美国 KRi 离子源常见工艺应用_伯东贸易（深圳）有限公司

KRi 离子源常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
KRI离子源

KRi 离子源常见工艺应用

工艺应用	简称
In-situ substrate preclean 预清洁	PC
Ion-beam modification of material and surface properties 材料和表面改性	IBSM
- Surface polishing or smoothing 表面抛光
- Surface nanostructures and texturing 表面纳米结构和纹理
- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强
- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐
- Surface-activated bonding 表面激活键合	SAB
Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜	IBAD
Ion-beam etching 离子蚀刻	IBE
- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻	RIBE
- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻	CAIBE
Ion-beam sputter deposition 离子溅射	IBSD
- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射	RIBSD
- Biased target ion-beam sputter deposition 偏压靶离子束溅射	BTIBSD
Direct deposition 直接沉积	DD
- Hard and functional coatings 硬质和功能性涂料

KRI离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.