KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出大 600 mA 离子流.
KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:
阳极 | 电感耦合等离子体 |
大阳极功率 | 1kW |
大离子束流 | > 500mA |
电压范围 | 100-1200V |
离子束动能 | 100-1200eV |
气体 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-40sccm |
压力 | < 0.5mTorr |
离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
离子束栅极 | 14cm Φ |
栅极材质 | 钼, 石墨 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 25.1 cm |
直径 | 24.6 cm |
锁紧安装法兰 | 12”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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