| 品牌：ASML | 产地：荷兰 |
ASML 5517DC30
ASML 5517DC30参数详解ASML 5517DC30 是一款先进的半导体设备，专为光刻工艺设计。以下是该设备的详细参数介绍，以便用户了解其性能特点。基本概述ASML 5517DC30 隶属于极紫外（EUV）光刻机系列，是芯片制造过程中的关键设备之一。它采用先进的技术，能够在晶圆上实现纳米级别的图案转移，从而满足现代芯片制造的需求。主要参数光源波长：13.5纳米ASML 5517DC30 使用极紫外（EUV）光源，波长为13.5纳米。这一短波长使得设备能够在晶圆上实现更的图案分辨率，从而提高芯片的集成度和性能。数值孔径（NA）：0.33该设备的数值孔径为0.33，数值孔径的大小直接影响光刻机的分辨率。较高的数值孔径可以实现更高的分辨率，有助于在晶圆上刻画出更小的特征尺寸。套刻精度：< 2.5纳米ASML 5517DC30 具备出色的套刻精度，误差小于2.5纳米。这一确保了多层图案的对准准确性，从而提高了芯片的良率和可靠性。生产效率：高达125片晶圆/小时该设备具备较高的生产效率，每小时可处理多达125片晶圆。这一率有助于提升芯片制造的产能，满足市场需求。分辨率：≤ 13纳米ASML 5517DC30 能够实现的分辨率小于等于13纳米，这一高分辨率确保了芯片上晶体管等微小结构的刻画，从而提升了芯片的性能和功耗表现。光源功率：≥ 250瓦设备的光源功率大于等于250瓦，稳定的高功率光源是保证光刻工艺顺利进行的关键因素之一。技术特点EUV技术：采用极紫外（EUV）技术，相较于传统的光刻技术，EUV技术具有更短的波长，能够实现更高的分辨率，从而满足7纳米及以下工艺节点的芯片制造需求。多模式支持：支持多种光刻模式，包括单次曝光和多重曝光等，能够灵活应对不同工艺节点和芯片设计的需求。自动化与智能化：具备高度的自动化和智能化功能，通过先进的控制系统和算法，能够实现、稳定的光刻操作，减少人为干预，提高生产效率和产品一致性。应用领域ASML 5517DC30 主要应用于芯片制造领域，包括逻辑芯片、存储芯片等。其和率的特点，使得它成为半导体制造商在先进工艺节点上的设备。总结ASML 5517DC30 作为一款先进的极紫外光刻设备，凭借其的性能参数和技术特点，在半导体行业中占据重要地位。它的高分辨率、和率，为现代芯片制造提供了强有力的支持，推动了半导体技术的不断进步。
ASML 5517DC30
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