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氮化镓 (GAN)氧化炉

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详细信息

   该设备用于氮化镓(GAN)芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有温度控制系统和真空压力控制系统。

主要参数: 

     工作温度范围: 600-1280 度。

     使用温度:1200 度。 

     每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。

     炉管有效口径:满足 6 寸片,可向下兼容 4、2 寸。 

     升温功率:18KVA/每管 。

     电源:三相五线制: 380V 三相五线。

     具有断偶、超温报警以及二次保护功能。


联系方式
  • 联系人: 姜经理 先生
  • 职位: 销售经理
  • 真: 0532-88533525
  • 电话: 0532-88533525
  • 手机: 13954285618
  • 址: 山东省 青岛市 山东省青岛市即墨区泰山三路285号联东U谷即墨科技创新谷3号楼
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