GE产品IC693APU300CA

GE产品IC693APU300CA

IC693APU300CA 门极驱动电阻RG对IGBT的动态特性有较大的影响。如图，IGBT的GE之间有个寄生电容CGE，该电容一般随IGBT容量增大而增大。RG越小，IGBT的栅极电容充电就快，开关时间短，开关损耗就小，但RG较小时使得IGBT开通时di/dt变大，从而引起较高的du/dt，增加续流二极管恢复时的浪涌电压，因此选择RG时需要折中考虑。RGE的作用是防止IGBT栅极电荷积累，一般取值是10k～100k。

GE之间的稳压管一般取值16～18V，防止栅极出现电压尖峰。

三极管Q1、Q2构成驱动功率推挽放大。IGBT开通时，门极正向电压佳值为15V±10%;IGBT关断时，好加个负偏电压，好取值在-5～-10V之间。

采用对管驱动的目的在于，当Q1导通时，对IGBT的栅极电容充电，使IGBT导通，当IGBT需要关断时，Q2导通，为栅极电容提供放电回路，从而使IGBT基极电压迅速拉低，关断IGBT。如果没有下管，则无法为栅极电容放电，IGBT无法关断。

这里简单举例说明了变频器中IGBT的保护，关于IGBT的保护措施还有很多，找时间我们可以罗列一些(讲真的，有些东西一展开就没完了，O(∩_∩)O~还慢慢聊吧，唠着唠着就都有了)。

IC693APU300CA

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