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望眼欲穿，却蓦然回首，发现真正好的工控品牌都在---《厦门仲鑫达自动化设备有限公司》

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厦门仲鑫达自动化设备有限公司

联系人：苏妙玲

电话：0592-5856292

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半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。

应用材料公司为实现 STT MRAM 的制造提供了多项重要创新，包括基于Endura? 平台上的PVD创新以及特别的蚀刻技术。利用这些新技术并借助梅丹技术中心的设施来加工并测试器件阵列，我们验证了 STT MRAM 的性能和可扩展性。

如今，除了逻辑元件和其他电路元件外，典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅 (FG) 的制造工艺对逻辑门性能的影响降低。为此，制造商通常会使用多达 10 个的额外掩膜层，这必然会增加其复杂性和成本。在<28nm 的节点， 逻辑部分的工艺将迁移到高 k 栅介质/金属栅极(HKMG)，由于 HKMG 的热预算有限，将导致工艺集成更为复杂。

DSAI 133 57120001-PS

DSAO 130 57120001-FG

DSAX452 

DSCL110 57310001-HD

DSCL110A 57310001-KY

DSDI 110 57160001-A/13,57160001-A

DSDI 120 57160001-E/13

DSDO 120 57160001-AK

DSDX-B001 57160001-TP/1

DSDX110 YB161102-AH/3

DSMB110 5736 0001A/4

DSMB115 57360001-CO/5

DSMB116 5736 0001-EB/2

DSMB123 5736 0001-AH3

DSMB124 57360001-U/3

DSMB125 5736001-AW/3

DSMB127 57360001-HG/2

DSMB133 5736 0001-CY

DSMB137 5736 0001-FA

DSMB151 5736 0001-K

DSMB175 5736 0001-KG

DSMC110 57330001-N/4

DSPA110 YB161102-AK/2

DSPC 153 57310256-BA/2

DSPC-150 57310256-AF/2

DSPC157 57310001-GP

DSPC170H 57310001-LC/2

DSQC129 YB161102-BV/1

DSQC205 YB560103-AD/1

DSQC206 YB560103-AG

DSQC228 

DSQC252 

DSSA165 48990001-LY

DSSR115 48990001-FE/3

DSTD120 57160001-P/1

DSTD120A 57160001-UD, 2668 180-99/1

DSTK126 26390582-AY

PFBK101 YM114001-GF

PFBK102