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砷化镓单晶炉

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详细信息
VGF 、HB 、HGF 、 VB
产品特点:
★用于GaAs等化合物晶体的生长           ★按结构形式:垂直生长,水平生长
★按生长方式:梯度生长及移动生长          ★晶体生长尺寸: 2-6寸
★设备分类:HB 、HGF 、VGF 、 VB      ★提供的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。
主要技术指标:
★结构型式:单管水平式,加热炉体可左右移动     ★适合2~4″晶体生长工艺(可定制)。
★炉体有效加热长度:1600mm             ★高工作温度:1300℃
★恒温区精度(静态闭管):±0.5℃
★升温速率(室温~1260℃):斜变升温速率可控在0~15℃/min
★降温(1300℃~900℃):0~5℃/min          ★供电电源:三相五线~380V±10% 50Hz

联系方式
  • 联系人: 陈庆建 先生
  • 职位: 销售部经理
  • 真: 00-传真号码
  • 电话: 0532-87671566
  • 手机: 13864877323
  • 址: 山东省 青岛市 山东 青岛市城阳区流亭工业园协荣路3号
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