| 品牌：福克斯波罗 | 规格：FBM241C P0914WM | 材质：FOXBORO |
| 产地：原厂 |
FBM241C P0914WM FOXBORO
TDD系列DIP开关属于符合RoHS指令要求的SPDT（单刀双掷）跳线开关，设计用于表面贴装PCB焊接，采用的分支触点设计，提高了电力可靠性。触点材料为铜合金，底层镀镍，表面镀金，额定电流为25mA @ 24VDC（切换状态）和00mA @ 50VDC（稳定状态），操作力为49N（大值），使用寿命为200个周期。工作温度范围为-30°C至85°C。
TDD系列DIP开关采用卷带封装（,000件盘）。在移动通信、汽车电子等领域占据高市场份额的半导体芯片供应商瑞萨电子（Renesas）日前推出了其七代具有业界性能的650V，50A IGBT产品RJP65S07DWA。受益于七代技术增型的薄化晶圆工艺，RJP65S07DWA在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡，以承受短路情况的发生。因此该产品十分适合高电压和大电流的应用，如太阳能发电机和工业电机里的功率调节器。此外，该产品可根据用户需求进行个性化定制。
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图：RJP6系列IGBT
5V的饱和电压带来更高的效率
相较于上代产品8V的饱和电压，Renesas基于的超薄晶圆技术使RJP65S07DWA的饱和电压降至的5V，降幅约7%。饱和电压反映了IGBT导通时的能量损耗，进步降低的饱和电压将器件效率提升至新的高度。
0微秒的高短路耐受力提供无与伦比的可靠性
对于高电压大电流的设备，器件保护往往是重重之中，Renesas七代IGBT系列产品RJP65S07DW具有0 μs的额定短路耐受力, 这意味着用于太阳能逆变器的功率调节器等系统会具有更出色的稳定性和劲的性能。
高速开关
通过优化器件的表面结构，Renesas将器件的反向传输电容降低了大约0%。这有助于实现更快的开关频率，使的更的电源转换器电路成为可能。
RJP65S07DWA的关键技术参数如下：
? 额定结温(Tj) +75°C
? 集电-发射额定电压(VCES) 650 V
? 额定的栅发射器电压(VGES) ±30 V
? 集电-发射饱合电压 (VCE(sat)) 5 V (典型值)
? 集电-发射阈值电压 (VGE(OFF)) 50 V至68 V
? 集电-发射额定电流 50 A (Tc = 00°C) 300 A (Tc = 25°C)
CY7C04G和CY7C04GE是由Cypress推出的带嵌入式ECC（纠错码）的CMOS快速静态RAM器件。这两种器件均支持单、双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C04GE器件具有个ERR引脚，用于通知读周期中的错误检测和纠正事件。通过将芯片使能（CE）、写入使能输入（WE）设置为低电平，并分别在器件数据引脚（IO0 至IO5）、地址引脚（A0 到A7）提供数据及地址，即可执行数据写入操作。
据世市场经理吴大忠介绍，该产品通过控制字节高电平使能（BHE）和字节低电平使能（BLE）的输入，来进行高字节、低字节写入指定存储器位置的操作。BHE 控制IO8 至IO5脚；BLE控制IO0 至IO7脚。通过设置芯片使能（CE）及输出使能（OE）输入为低电平，并提供地址上行所需的地址，便能执行读取操作，在IO 线上（IO0 至IO5）读取数据。通过设置所需的字节使能信号（BHE或BLE），可以执行字节访问，即读取指定地址上高字节或低字节数据。
CY7C04GCY7C04GE的特性：
-高速：tAA = 0 ns
-用于单比特错误纠正的嵌入式纠错码（ECC）
-活动模式和待机模式只需低电流
有效电流ICC = 38 mA （典型值）
待机电流ISB2 = 6 mA （典型值）
-工作电压范围：65 V至22 V，22 V至36 V，45 V至55 V
-0 V 数据保持
-TTL — 各兼容输入与输出
-错误指示（ERR）引脚用于表示单位错误的检测及纠正
-无铅44引脚SOJ、44引脚TSOP II和48球形焊盘VFBGA封装日前，碳化硅（SiC）技术者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds大值为2KV、典型值为50 m?半桥双功率模块CAS300M2BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
CAS300M2BM2外壳采用行业标准的62mm x 06mm x 30mm，封装则采用Half-Bridge Module，具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏电流方面，连续通电时大为404A（@25℃），285A（@90℃）， 脉冲通电时大为500A（@25℃），导通电阻在栅源间电压为+20V、周围温度为25℃时只有5mΩ（标准值）。此外，即使周围温度上升至+50℃，导通电阻也只有86mΩ（标准值），温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅电荷仅025nC（标准值），因此十分容易提高开关频率。
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图：Vds大值为2KV、典型值为50 m?半桥双功率模块CAS300M2BM2
Cree方面表示，如果使用SiC功率模块，与使用Si功率的电源装置相比，由开关损失引起的功率损耗可降低5倍以上。与采用Si材料IGBT的电源装置相比，CAS300M2BM2可改善装置整体的转换效率，而且能将开关频率提高，从而能够缩小外置部件，因此可削减电源装置整体的体积和重量。在感应效率达到99%的同时，CAS300M2BM2在高频感应加热系统可减少25倍的电源模块数。CAS300M2BM2的转换效率和性能可使设计师减少冷却片和散热片，降低系统的热要求，提升两倍的功率密度并降低系统成本，终减少了用户的成本。
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图2：使用SiC与Si技术比较
Cree功率和RF产品营销经理MrinalDas表示：“Cree的SiC功率模块系列还可以为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和工业电源等应用带来大益处。即使设计人员只是在电动机中用SiC取代硅模块，SiC的增性能也可以降低功率耗损和冷却要求，从而降低动力电子设备系统的尺寸、重量、复杂性和总成本”。美国国家仪器(National Instruments, 简称NI) 今天发布了LabVIEW 205系统设计软件。 LabVIEW新版提供了快速便捷开发方式和调试工具，将继续通过系统间的代码复用来标准化用户与几乎所有硬件的交互方式，从而帮助他们节省时间和成本，以适应技术的进步、需求的变化和日益增加的上市时间压力。
LabVIEW已经广泛应用于各行各业，帮助工程师实现更高的性能和产品质量。 LabVIEW 205新增了以下高硬件的支持，帮助工程师更快速地进行开发：
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