IC693PWR330

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2.1 目前国内主要的产品状况 (1) 晶闸管变流器和可关断器件(BJT、IGBT、VDMOS)斩波器供电的直流调速设备:这类设备的市场很大，随交流调速的发展，该市场虽在缩减，但由于我国旧设备改造任务多，以及它在几百至一千多千瓦范围内价格比交流调速低的多。所以在短期内市场不会缩减很多。国产设备能满足需要，部分出口，但自行开发的控制器多为模拟控制，近年来主要采用进口数字控制器配国产功率装置。 (2) IGBT-PWM逆变器供电的交流变频调速设备:这类设备的市场很大，总容量占的比例不大，但台数多，增长快，应用范围从单机扩展到全生产线，从简单的V/F控制到的矢量控制。约有50家工厂和公司生产，其中合资企业占很大比重。 (3) 负载换流式电流型晶闸管逆变器供电的交流变频调速设备:这类产品在抽水蓄能电站的机组起动，大容量风机、泵、压缩机和轧机传动方面有很大需求。国内只有少数科研单位有能力制造，目前容量大做到12MW。功率装置国内配套，自行开发的控制装置只有模拟式的，数字装置需进口，自己开发应用软件。 (4) 交-交变频器供电的交流变频调速设备:这类产品在轧机和矿井卷扬传动方面有很大需求。台数不多，功率大。主要靠进口，国内只有少数科研单位有能力制造。目前大容量做到7000-8000kW。功率部分国产，数字控制装置进口，包括开发应用软件。 附表中: 1、我国第一台电机扩大机是在1955年制造出来的 2、我国第一台汞弧整流器(5A，600V)是在1952年制造出来的 3、我国第一只晶闸管(5A，400V)是在1963年制造出来的 2.2变频调速技术在国民经济和日常生活中的重要地位 (1) 应用面广，是工业企业和日常生活中普遍需要的新技术。 (2) 是节约能源的高新技术。 (3) 是国际上技术更新换代快的领域。 (4) 是高科技领域的综合性技术。 (5) 是替代进口，节约投资的大领域之一。 3国内外技术现状对比 3.1 国外现状在大功率交－交(循环变流器)变频调速技术方面，法国阿尔斯通已能提供单机容量达3万kW的电气传动设备用于船舶推进系统。在大功率无换向器电机变频调速技术方面，意大利ABB公司提供了单机容量为6万kW的设备用于抽水蓄能电站。在高压变频调速技术方面, 西门子高压IGBT的三电平大容量变频器，电压为2.3kV、3.3kV、4.16kV、6kV，容量800kVA-4000kVA;ABB高压IGCT的三电平大容量变频器，电压为2.3kV、3.3kV、4.16kV、6.6kV，容量315kW-7460kW;ROBICON、东芝低压IGBT的多重式、多级串联高压变频器，电压为2.3kV--13.8kV，容量800kW-5600kW;其控制系统已实现全数字化，用于电力机车、风机、水泵传动。在小功率交流变频调速技术方面，日本富士BJT变频器大单机容量可达700kVA，IGBT变频器已形成系列产品，其控制系统也已实现全数字化。附表 我国电气传动与变频调速技术的发展简史。
开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给晶体管提供基极电流，使导通。反之，加反向门极电压沟道，流过反向基极电流，使关断。 驱动方法和 本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。 当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使在高电压时，也具有低的通态电压。 工作特性包括静态和动态两类： 1 ．静态特性:静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的 ，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了某些应用范围。 转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，处于关断状态。在导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流限制，其佳值一般取为15V左右。  的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。处于导通态时，由于它的晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为总电流的主要部分。此时，通态电压 Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为 0.7 ～ IV ； Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降； Roh ——沟道电阻。 通态电流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+B)Imos 式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流。 由于N+区存在电导调制效应，所以通态压降小，耐压1000V 的通态压降为2～3V 。 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2 ．动态特性在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期， 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成，如图 2 － 58 所示  在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 MOSFET 关断后，晶体管的存储电荷难以迅速，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off)为关断延迟时间， trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图 2 － 59 中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv 十 t(f) （ 2 － 16 ） 式中， td(off) 与 trv 之和又称为存储时间。  4月26日-28日，和利时公司将在温州举办小型一体化PLC免费技术培训。 　　作为和利时公司为广大PLC用户提供的增值服务的一部分，为期三天的技术培训班已成为用户了解和利时公司国产小型PLC产品的窗口和吸收先进技术的实践平台。面对新的一年，和利时公司将充分地发挥各个分支的服务优势，提升培训水平，加大免费培训的力度，为用户提供更具品质的技术服务。 　　 　　和利时PLC免费技术培训班由专职人员讲解，提供专业计算机教室上机实践学习。本期将安排教授、技术工程师给学员详细讲解： 　　1. IEC61131-3标准指令、算法，编程语言的结构化、模块化编程方式； 　　2. IEC61131-3标准软件PowerPro的应用；Powerpro编程软件特有的标准库、应用库和定制库； 　　3. 对实际应用案例进行专题讲解，包括上位机、触摸屏与ＰＬＣ的连接、编程，模拟量的采集、输入输出，ＰＬＣ对电机、变频器设备控制等。 　　 　　课程安排时间紧凑、内容详实，学员通过听课、实际的上机操作，达到即学即用的目的。 　　培训期间，和利时公司为学员提供全套的G3 PLC资料以及免费工作餐，培训时间及课程内容安排如下： 　　 　　   　　 　　欢迎来电咨询！ 　　 　
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